据国外媒体报道，美国伊利诺大学香槟分校的研究者宣布，他们已制造出目前世界最快的晶体管，这种磷化铟与砷化铟镓制造的的新型晶体管速度达845GHz，较之前的记录超出约300GHz。这一速度是在-55℃获得的，室温下该晶体管可以运行在765GHz。除了新型材料外，这种晶体管的制造工艺也更为精良，基部仅有12.5纳米。 伊利诺大学Holonyak教授职位(新浪科技注：1962年美国通用电气公司的Holonyak博士发明了世界上第一支发光二极管，即LED)的Milton Feng指出：“新型晶体管利用了伪晶基部和集电极区域的坡度效应。”利用新研发的装置，他宣称晶体管已趋近太赫兹(THz，即1000GHz)的“圣杯”。
该校研究生William Snodgrass说：“通过垂直缩小装置，我们减小了电子的运动距离，故晶体管频率更高。且集电器的横截面也有减少，所以晶体管充放电的速度也加快了。”
在本周IEEE国际电子设备会议上，麻省理工学院电气工程和计算机科学教授Jesús del Alamo介绍了砷化铟镓(InGaAs)晶体管技术。流经新晶体管的电流量相当于目前最先进的硅晶体管的2.5倍，更大的电流量是快速运行的关键。
Alamo认为，砷化铟镓晶体管技术目前还处于幼年时期，砷化铟镓比硅更容易破损，难以大批量生产。但他预计该技术在10年内将会快速发展，并极大超过硅技术。在未来10年至15年，从尺寸和性能上讲硅晶体管的发展将达到极限。
在今年6月，IBM与佐治亚理工学院成功使一颗芯片运行在500GHz，其时温度为-268℃，这也刷新了硅锗芯片的速度记录。此项实验是探索硅锗(SiGe)芯片速度极限计划的一部分，这种芯片类似于标准的硅基芯片，但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。
硅锗芯片技术已经较为成熟，除IBM外，摩托罗拉、Airgo Networks和Tektronix等公司已在其产品中使用这项技术。
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